એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને સંપૂર્ણપણે રોકે છે, તેને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે। સ્લેબને અચળ ઝડપે બહાર ખેંચવામાં આવે છે। નીચેનામાંથી કયો આલેખ સમય સાથે કેપેસિટર $C$ ના ફેરફારને ગુણાત્મક રીતે દર્શાવે છે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જ્યારે તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી અડધું ભરવામાં આવે છે,ત્યારે કેપેસિટન્સમાં થતો ટકાવારી વધારો . . . . . . છે.

એક કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\ \mu F$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\ mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $t = 1\ mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

$A$ જેટલું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,$K_{1}$ અને $K_{2}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી,$A/2$ ક્ષેત્રફળ અને $d/2$ જાડાઈની બે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરનું સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર:

$2 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને $50 V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. પછીથી,કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. જો કેપેસીટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા તેના પ્રારંભિક મૂલ્ય કરતા $25 \%$ જેટલી ઘટે છે,તો ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?